信息摘要：
概念: 電力電子器件，又稱電力半導(dǎo)體器件，主要應(yīng)用于電力設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換和控制電路中(通常指電流在幾萬(wàn)到幾萬(wàn)a，電壓在幾百伏特以上)。 設(shè)備開(kāi)發(fā): 電源器件幾乎應(yīng)用于所有電子...
概念:
電力電子器件，又稱電力半導(dǎo)體器件，主要應(yīng)用于電力設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換和控制電路中(通常指電流在幾萬(wàn)到幾萬(wàn)a，電壓在幾百伏特以上)。
設(shè)備開(kāi)發(fā):
電源器件幾乎應(yīng)用于所有電子制造行業(yè)，包括筆記本、PC、服務(wù)器、顯示器和計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的各種外設(shè);網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域的手機(jī)、電話機(jī)等終端及辦公設(shè)備;傳統(tǒng)的黑白家用電器和消費(fèi)電子領(lǐng)域的各種數(shù)碼產(chǎn)品;工業(yè)PC、工業(yè)控制類的各種儀器和控制設(shè)備。
電源裝置在保證這些裝置正常運(yùn)行的同時(shí)，也能起到有效的節(jié)能作用。由于電子產(chǎn)品需求的不斷增加和能源效率的要求，中國(guó)的電力設(shè)備市場(chǎng)保持了快速的發(fā)展速度。
分類:
根據(jù)控制電路信號(hào)對(duì)電力電子設(shè)備的控制程度:
1. 半控制器件，如晶閘管;
2. 全控制器件，如GTO、GTR、power MOSFET、IGBT;
3.不可控裝置，如功率二極管。
根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路在控制端與電力電子設(shè)備公用端之間所加信號(hào)的性質(zhì)，將信號(hào)分為以下幾種:
1. 電壓驅(qū)動(dòng)器件，如IGBT、功率MOSFET、Sith(靜電感應(yīng)晶閘管);
2. 電流驅(qū)動(dòng)裝置，如晶閘管，GTO, GTR。
根據(jù)電力電子設(shè)備控制端與共用端之間的有效信號(hào)波形，驅(qū)動(dòng)電路可分為以下幾種
1. 脈沖觸發(fā)，如晶閘管和GTO;
2. 電子控制類型，如GTR, powermosfet, IGBT。
根據(jù)電力電子器件中電子和空穴參與導(dǎo)電的情況進(jìn)行分類
1. 雙極器件，如功率二極管、晶閘管、GTO和GTR;
2. 單極器件，如功率mosfet、sit、肖特基勢(shì)壘二極管;
3.復(fù)合器件，如MCT (MOS控制晶閘管)、IGBT、Sith和IGCT。
設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn):
功率二極管:結(jié)構(gòu)原理簡(jiǎn)單，工作可靠;
晶閘管:所有器件的耐壓和電流容量高
IGBT:開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗小，能承受脈沖電流沖擊，通態(tài)壓降低，輸入阻抗高，電壓驅(qū)動(dòng)，低驅(qū)動(dòng)功率;缺點(diǎn):開(kāi)關(guān)速度低于功率MOSFET，電壓電流容量小于GTO
GTR:耐壓高、電流大、開(kāi)關(guān)特性好、載流能力強(qiáng)、飽和電壓低;缺點(diǎn):開(kāi)關(guān)速度低、電流驅(qū)動(dòng)、驅(qū)動(dòng)功率大、驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜、二次擊穿
GTO:電壓電流容量大，適用于大功率場(chǎng)合，具有電導(dǎo)調(diào)制效果，電流容量大;缺點(diǎn):電流關(guān)斷增益很小，門(mén)極負(fù)脈沖電流大，開(kāi)關(guān)速度低，驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，開(kāi)關(guān)頻率低
功率MOSFET:開(kāi)關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，驅(qū)動(dòng)功率小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，工作頻率高，無(wú)二次擊穿問(wèn)題;缺點(diǎn):電流容量小，耐壓能力低，一般適用于功率小于10kW的電力電子設(shè)備。
限制條件:耐壓、電流容量、開(kāi)關(guān)速度
